مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
Index date: 23 November 2012
مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE abstract
مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE Keywords:
مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE authors
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مراجع و منابع این Paper: