سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE

Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,989

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ISCEE15_413

Index date: 23 November 2012

مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE abstract

ترانزیستوردوقطبی با گیت عایق شده IGBT هنگامیکه به عنوان کلیدقدرت درمدارات سوییچینگ استفاده می شود باید درنواحی قطع و اشباع خودکار کند تابه حال دو مدل برای IGBT جهت استفاده درنرم افزارPSPICE معرفی شده که عبارتنداز مدل رفتاری و مدل فیزیکی استخراج پارامترهای سوییچینگ از این مدلها معمولا ساده نیست دراین مقاله مدلساده ای ارایه شده که ترکیبی از دو مدل قبلی است و مهندسین می توانند به راحتی و با استفاده از اطلاعات سازندگان و پارامترهای داده شده ازطرف انها ازمدل هدف به عنوان کلید قدرت IGBT درمدارات سوییچینگ استفاده کنند این مدل جهت توصیف شرایط کلیدزنی IGBT ازیک کلید کنترل شده با ولتاژ به منظور مدلسازی ماسفت داخلی دو خازن تحت عنوان خازن های پارازیتی و یک دیود موازی معکوس تشکیل شده است برخلاف دو مدل قبلی شبیه سازی مدل حاضر توسط PSPICE به محاسبات عددی بالایی نیاز ندارد دراین مقاله پس از معرفی و بیان اصول طراحی مدل هدف به شبیه سازی آن توسط مدار راه انداز خواهیم پرداخت و درنهایت جهت اثبات ادعاهای خود از آن برای شبیه سازی یک مبدل باک رزونانسی استفاده می شود.

مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE Keywords:

ترانزیستوردوقطبی با گیت عایق شده , کلیدقدرت , مدلسازی , نرم افزار PSPICE

مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE authors

کریم سلطان زاده

گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

حسین خلیلیان

دانشگاه صنعتی مالک اشتر

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
F. Mihalich et al., "IGBT SPICE model", IEEE Transactions on ...
_ _ _ IEEE Conf. Rec. 5th Int. Symp. Power ...
H. S. Kim et al., "Parameter extraction for the static ...
W. Kang et al., _ Parameter Extraction Algorithm for an ...
A. Hefher and D. Blackburn, "An analytical model for the ...
_ _ _ _ On Power Electronics, vol. _ no ...
Jung G. Cho, J. W. Baek, D.W. Yoo, H. S. ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE" توسط کریم سلطان زاده، گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد؛ مجید دهقانی؛ حسین خلیلیان، دانشگاه صنعتی مالک اشتر نوشته شده و در سال 1391 پس از تایید کمیته علمی پانزدهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستوردوقطبی با گیت عایق شده، کلیدقدرت، مدلسازی، نرم افزار PSPICE هستند. این مقاله در تاریخ 3 آذر 1391 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1989 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که ترانزیستوردوقطبی با گیت عایق شده IGBT هنگامیکه به عنوان کلیدقدرت درمدارات سوییچینگ استفاده می شود باید درنواحی قطع و اشباع خودکار کند تابه حال دو مدل برای IGBT جهت استفاده درنرم افزارPSPICE معرفی شده که عبارتنداز مدل رفتاری و مدل فیزیکی استخراج پارامترهای سوییچینگ از این مدلها معمولا ساده نیست دراین مقاله مدلساده ای ارایه شده که ترکیبی از دو ... . برای دانلود فایل کامل مقاله مدلسازی ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق شده IGBT به عنوان کلیدقدرت درنرم افزار PSPICE با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.