پهن شدگی دوپلری گاماهای نابودی پوزیترون در ورقه های سیلیکونی نوع ان و پی تابش دیده توسط گاما، نوترون و الکترون
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 40
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_RSM-12-2_002
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1402
Abstract:
پهن شدگی دوپلری گاماهای ناشی از نابودی پوزیترون در ورقه های سیلیکونی نوع ان و پی که استفادهی فراوانی در صنعت الکترونیک دارند، اندازه گیری شد. ورقه ها تحت تابش الکترون های ۱۰ مگاالکترونولتی (۳۰ کیلوگری)، گاماهای چشمه کبالت ۶۰ (۱۷۵ کیلوگری) و شار نوترون حرارتی راکتور (۰۳۸/۰ گری) قرار گرفته اند. در این تحقیق از یک سامانه ی متداول همزمانی طیف سنجی نابودی پوزیترون، شامل یک آشکارساز فوق خالص ژرمانیوم، یک آشکارساز سوسوزن و چشمه ی پوزیتروندهنده سدیم ۲۲، استفاده شده است. فعالیت نمک پرتوزا، ۷ میکروکوری است که بین دو لایه ی نازک پلیمری، هر کدام به ضخامت ۷ میکرومتر، ساندویج شده است. نتایج این تحقیق حاکی از ایجاد نقص قابل مشاهده در نمونه های سیلیکونی تابش دیده با الکترون است.
Keywords:
طیف سنجی نابودی پوزیترون , پهن شدگی دوپلری گاماهای نابودی , سیلیکون نوع ان , سیلیکون نوع پی , سیلیکون تابش دیده
Authors
معصومه اربابی بلوچستان
گروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، سیستان و بلوچستان، ایران
علی اکبر مهمان دوست خواجه داد
گروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، سیستان و بلوچستان، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :