بررسی مراحل ایجاد نانو سیم های اکسید گالیوم و مشخصه های آن ها

Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 97

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ECMCONF08_015

تاریخ نمایه سازی: 3 مهر 1402

Abstract:

هدف از پژوهش حاضر بررسی ساخت نانو سیم های اکسید گالیوم و ویژگی های آن ها می باشد. نتایج نشان داد با بکاربردن یک متد ساده سریع گرمای القایی با فرکانس بالا، محصولی قوی از نانوسیم های Ga۲O۳ در کمتر از ۵ دقیقه ترکیب شده اند. تصاویر SEM قطرهای نانوسیم از ۲۰-۱۲۰ نانومتر و طولهایی تا حدود ۵μm را نشان می دهد. تصاویر HRTEM بیان می دارد که نانوسیم های Ga۲O۳ خیلی کریستالی هستند و توصیف خواص الکتریکی نانوسیم های ترکیب شده Ga۲O۳ در یک ساختار FET که نانوسیمهای نوع n از Ga۲O۳ را نشان می دهد که در دمای اتاق حاوی جریان بزرگتر و جنبش حاصل بیشتر است. بعلاوه این متد امکان یک ترکیب ساده و قوی از نانومواد دیگر را نیز فراهم می کند.

Keywords:

نانو سیم , نانو سیم های اکسید گالیوم , قطر نانوسیم , تصاویر SEM

Authors

سید حسام الدین موسوی

کارشناسی ارشد مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود، ایران