اثر شار اکسیژن بر روی ضریب شکست لایه اکسید آلومینیوم، لایه نشانی شده با روش تبخیر باریکه الکترونی

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 50

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_PSI-15-4_010

تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402

Abstract:

در این مقاله اثر میزان شار اکسیژن هنگام لایه نشانی بر روی ضریب شکست لایه اکسید آلومینیوم بررسی شده است. لایه های  توسط تفنگ الکترونی بر روی زیرلایه شیشه ای در شارهای متفاوت اکسیژن انباشته شده اند. درجه حرارت زیرلایه در زمان لایه نشانی ۲۵۰ درجه سلسیوس ثابت نگه داشته می شود. طیف عبوری نمونه ها با استفاده از اسپکتروفوتومتر در محدوده طول موجی  اندازه گیری شده اند. سپس با استفاده از نقاط بهینه (بیشینه یا کمینه) منحنی عبور، ضریب شکست و ضریب خاموشی نمونه ها محاسبه می شوند. نتایج نشان می دهد که با کاهش شار اکسیژن، در حالی که نرخ تبخیر ثابت نگه داشته شده است، ضریب شکست لایه های  کاهش می یابد. از طرف دیگر، کاهش شار اکسیژن باعث ایجاد مقدار کمی جذب در لایه می شود.

Authors

رضا شکوری

مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران، تهران

حسن حیدری

دانشگاه بین المللی امام خمینی(ره)، قزوین

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • E Ciliberto, I Fragala, R Rizza, G Spoto, and G ...
  • K P Pande, V K R Nair, and D Gutierrez, ...
  • P Vuoristo, T Mäntylä, P Kettunen, and R Lappalainen, Thin ...
  • S Jakschik, A Avellan, U Schroeder, and J Bartha IEEE ...
  • W H Ha, M H Choo, and S Lm, Journal ...
  • B G Segda, M Jacquet, and J P Besse, Vacuum ...
  • A Khanna, D G Bhat, A Harris, and B D ...
  • F Fietzke, K Goedicke, and W Hempel, Surf. Coat. Technol. ...
  • O Zywitzki, K Goedicke, and H Morgner. Surf. Coat. Technol. ...
  • P V Patil, D M Bendale, R K Puri, and ...
  • C H Lin, H L Wang, and M H Hon, ...
  • Z W Zhao, B K Tay, S P Lau, and ...
  • M Aguilar Frutis, M Garcia, C Falcony, G Plesch, and ...
  • P O Nilsson, Appl. Opt. ۷ (۱۹۶۸) ۴۳۵. ...
  • R C McPhedran, L C Botten, D R McKenzie, and ...
  • E A A El-Shazly, I T Zedan, and K F ...
  • H E Atyia, and N A Hegab, Physica B ۴۵۴ ...
  • J S Ross, R A Mailman, D J Kester, and ...
  • “Essential MacLeod”, Thin Film Center Inc., Tucson, AZ, USA, http://www.thinfilmcenter.com/. ...
  • D Minkov, J. Opt Soc. Am. A ۸ (۱۹۹۱) ۳۰۶. ...
  • W C Olive and G M Pharr, J. Mater. Res. ...
  • N Maiti et al., Vacuum ۸۵ (۲۰۱۰) ۲۱۴. ...
  • S Shuzhen, C Lei, H Haihong, Y Kui, F Zhengxiu, ...
  • K S Shamala, L C S Murthy, and K Narasimha ...
  • S K Kim, S W Lee, C S Hwang, Y ...
  • N Reddy, V Rajagopal, N Sridhara, S Basavaraja, and ...
  • نمایش کامل مراجع