اثر پیری نقاط کوانتومی در سلول های خورشیدی حساس شده با نانوبلورهای CdS وPbS
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 14، Issue: 4
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 50
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-14-4_015
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
Abstract:
در این مقاله سلول های خورشیدی حساس شده با نانوبلور های سولفید فلزی CdS و PbS رشد داده شده به روش شیمیایی SILAR ، ساخته و مشخصه یابی شدند. سلول های ساخته شده با این روش، در مجاورت نور و تاریکی در دوره های زمانی ۲، ۳، ۶ و۱۰ روز پس از ساخت مورد آزمایش های فوتوولتائیک مانند : آزمایش تعیین نمودار جریان- ولتاژ سلول در مجاورت نور و در تاریکی، آزمایش افت ولتاژ مدار باز سلول و آزمایش طیف نگاری امپدانس الکتروشیمیایی، قرار گرفت. از این آزمایش ها روند تغییرکمیت هایی مانند ضریب عملکرد سلول، بازده، ولتاژ مدار باز، جریان اتصال کوتاه، طول عمر الکترون در نانوساختار الکترود آند، مقاومت باز ترکیب و ظرفیت خازنی در فصل مشترک الکترولیت- فوتوآند با گذشت زمان بررسی و همچنین برای برخی مشاهده های فوتوولتائیک، مانند افزایش و کاهش مقاومت بازترکیب در فصل مشترک الکترولیت- فوتوالکترود به ترتیب برای سلول های نگه داری شده در تاریکی و سلول های نگه داری شده در مجاورت نور سازوکار های پیشنهادی ارایه شد
Keywords:
Authors
وحید برهانی فر
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
اعظم ایرجی زاد
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شریف، تهران
محمود صمدپور
دانشکده علوم، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر طوسی، تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :