بررسی ورقه های سیلیکونی (۱۱۱) و مقایسه آن با زیر لایه های سیلیکونی (۱۰۰)
Publish place: The Physics Society Of Iran، Vol: 12، Issue: 1
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 62
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PSI-12-1_012
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1402
Abstract:
در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، Si(۱۰۰) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه Si(۱۰۰) و Si(۱۱۱) به بررسی نانوساختاری فیلم های مزبور پرداخته و امکان جایگزینی Si(۱۰۰) با Si(۱۱۱) مورد مطالعه قرار گیرد. نتایج به دست آمده در کار حاضر نشان می دهد که Si(۱۱۱) با درگاه دی الکتریک های نیتریدی مناسب تر است.
Keywords:
Authors
علی بهاری
دانشگاه مازندران