شبیه سازی مونت کارلوی فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و بررسی تغییر فاصله هدف تا زیرلایه بر مشخصات لایه ها
Publish place: Optoelectronic، Vol: 1، Issue: 3
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 45
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_PHYS-1-3_001
تاریخ نمایه سازی: 15 آذر 1402
Abstract:
در این مقاله، فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و در حضور گاز پس زمینه به روش مونت کارلو شبیه سازی شده است. به طور خاص رشد فلز آلومینیوم در محیط گاز زنون پس زمینه و در فشار ۵۰ میلی تور شبیه سازی شده است. فواصل هدف - زیرلایه برابر با ۱۰، ۱۵، ۲۰، ۲۵ و ۳۰ میلی متر در شبیه سازی ها مورد استفاده قرار گرفته اند. اطلاعات مکانی و انرژی توده یون های پلاسمایی شکل گرفته در این روش و نیز اطلاعات مشابه برای یون های کندوپاش شده از سطح لایه درحال رشد جمع آوری شده اند. توزیع ضخامتی لایه ها با استفاده از اطلاعات یون های عبوری و کندوپاش شده از سطح لایه محاسبه شده است. نتایج نشان دهنده احتمال شکل گیری حفره در مرکز لایه های درحال رشد به این روش و تشدید آن با کاهش فاصله هدف - زیرلایه است. نتایج شبیه سازی بیانگر نقش موثر یون های کندوپاش شده از سطح لایه در شکل گیری این نوع حفره ها است.
Keywords:
Authors
محمدرضا رشیدیان وزیری
استادیار، فیزیک، پژوهشکده فوتونیک و فناوری های کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران، ایران
افضل مصطفوی حسینی
کارشناسی ارشد، فیزیک، دانشگاه پیام نور
علی هاشمی زاده عقدا
استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور
نرگس علیمرادیان
کارشناسی ارشد، فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :