Investigation of four phase semiconductor layer Ni/MgF2/glass producted by PVD method
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: English
View: 1,466
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_047
Index date: 30 April 2013
Investigation of four phase semiconductor layer Ni/MgF2/glass producted by PVD method abstract
According to the increasing advancement of nanotechnology and ample use of nanostructure layers in various fields like optic pieces, photic devices, solar cells, and biological drugs; manufacturing better and morecommodious layers seems necessary. In this survey, aluminum has been layered and deposited on silver nitrateon glass using PVD method. Atomic force microscope (AFM),X-ray diffraction( XRD), and Scanning electronmicroscope( SEM) analyses, and spectrophotometery were derived from this multi-layer, and through these analyses, the structure of the surface and the morphology of theses layers were studied.
Investigation of four phase semiconductor layer Ni/MgF2/glass producted by PVD method Keywords:
Investigation of four phase semiconductor layer Ni/MgF2/glass producted by PVD method authors
S Gharanizade
Faculty of sciences,Islamic Azad university,Urmia Branch,Urmia, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :