بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدیCIGSبه کمک حل عددی معادلات نفوذ-رانش
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 798
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_071
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
Abstract:
با توجه به نقش سلولهای خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدیدپذیر پایدار، در این مقاله به بررسی عملکرد یک سلول خورشیدی فیلم نازکCIGS میپردازیم. در ابتداروش حل عددی معادلات نفوذ-رانش برای این دسته ساختارهای فراپیوند شرح داده میشودهمچنین با توجه به وابستگی گاف انرژی سلولهایCIGSبه غلظتGa به ازای مقادیر متفاوتGaپارامترهای سلول ترسیم میشود و مقدار گاف انرژی سلولCIGSبرای دستیابی به بیشترین بازده ارائه میگردد. در پایان نیز مشخصه جریان-ولتاژ سلول با گاف انرژی بهینه رسم میشود
Keywords:
Authors
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :