بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدیCIGSبه کمک حل عددی معادلات نفوذ-رانش
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 862
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_071
Index date: 30 April 2013
بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدیCIGSبه کمک حل عددی معادلات نفوذ-رانش abstract
با توجه به نقش سلولهای خورشیدی به عنوان یک منبع انرژی تجدیدپذیر پایدار، در این مقاله به بررسی عملکرد یک سلول خورشیدی فیلم نازکCIGS میپردازیم. در ابتداروش حل عددی معادلات نفوذ-رانش برای این دسته ساختارهای فراپیوند شرح داده میشودهمچنین با توجه به وابستگی گاف انرژی سلولهایCIGSبه غلظتGa به ازای مقادیر متفاوتGaپارامترهای سلول ترسیم میشود و مقدار گاف انرژی سلولCIGSبرای دستیابی به بیشترین بازده ارائه میگردد. در پایان نیز مشخصه جریان-ولتاژ سلول با گاف انرژی بهینه رسم میشود
بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدیCIGSبه کمک حل عددی معادلات نفوذ-رانش Keywords:
بررسی اثر تغییر گاف انرژی لایه جاذب سلول خورشیدیCIGSبه کمک حل عددی معادلات نفوذ-رانش authors
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشکده مهندسی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :