مهندسی باند ممنوعه فوتونیکی در کریستالهای فوتونیکی دو بعدی مبتنیبر سری تومورس
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 856
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_101
Index date: 30 April 2013
مهندسی باند ممنوعه فوتونیکی در کریستالهای فوتونیکی دو بعدی مبتنیبر سری تومورس abstract
در این مقاله باند ممنوعه فوتونیکی کریستال فوتونیکی دو بعدی مبتنی برساختار تومورس دو بعدی مطالعه شده و اثر عوامل موثر بر تغییرات باند ممنوعه فوتونیکی، از قبیل نسبت شعاع میله ها به ثابت شبکه کریستال، ضرایب شکست مواد دی-الکتریک سازنده میلهها و اختلاف ضریب شکست میلهها با یکدیگر بررسی شده و نتایج حاصل با نتایج بدست آمده برای یک ساختار کریستال فوتونیکی دو بعدی متناوب مقایسه شده است.
مهندسی باند ممنوعه فوتونیکی در کریستالهای فوتونیکی دو بعدی مبتنیبر سری تومورس Keywords:
مهندسی باند ممنوعه فوتونیکی در کریستالهای فوتونیکی دو بعدی مبتنیبر سری تومورس authors
سمیه سراج محمدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر، گروه مهندسی برق، اهر، ایران
حامد علیپوربنایی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبرید، گروه مهندسی برق، تبرید، ایرا
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :