حل عددی معادله بولتزمن در نیمه هادی به ازای جذب نوری
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 820
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_107
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
Abstract:
در این مقاله معادله بولتزمن درGaAs را با استفاده از مدل رانش- نفوذ به صورت عددی حل میکنیم. ابتدا روابط حاکم در افزاره را با کمک روش تفاضل محدود گسسته می- کنیم. سپس به ازای تابش و جذب نور در افزاره و با کمک روش نیوتن- رافسون توزیعحاملهای الکتریکی و پتانسیل الکتریکی را محاسبه میکنیم. این توزیعها پایه و اساس کارکرد افزارههای نیمههادی هستند و برای محاسبه پارامترهای مختلف مانند جریان الکتریکی بکار میروند
Keywords:
Authors
فریده اکرمی مقدم
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه شهید چمران اهواز
محمد سروش
استادیار گروه برق دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :