بررسی و شبیه سازی بهره ماده در لیزر و تقویت کننده های لیزری نیمه هادی
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 987
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_126
Index date: 30 April 2013
بررسی و شبیه سازی بهره ماده در لیزر و تقویت کننده های لیزری نیمه هادی abstract
در این مقاله مبانی و روش های محاسبه بهره ماده در لیزر و تقویت کننده های لیزری نیمه هادی مورد بررسی قرار گرفته است، سپس شبیه سازی عددی انجام شده برای حل معادله مورد نظر توضیح داده می شود. در پایان نتایج شبیه سازی مدل مورد نظر بهعنوان یک روش معتبر با دقت بالا ارائه شده است که د ر محدوده وسیع فرکانسی قابل استفاده می باشد. ماده استفاده شده برای شبیه سازی پیوند همگنInP و لایه مدفون InGaAsP به عنوان ناحیه فعال است. از این روش می توان برای پیش بینی بازه، بیشینه بهره و فرکانس قطع در طراحی لیزرهای نیمه هادی و تقویت کننده های نوری لیزری نیمه هادی استفاده کرد
بررسی و شبیه سازی بهره ماده در لیزر و تقویت کننده های لیزری نیمه هادی Keywords:
بررسی و شبیه سازی بهره ماده در لیزر و تقویت کننده های لیزری نیمه هادی authors
افشین محمودیه چم پیری
سازمان متبوع نویسنده اول
محمد سروش
استادیار مهندسی برق، دانشگاه شهید چمران اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :