بررسی و تحلیل مداری تونل زنی در ترانزیستور تک الکترونی
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 3,800
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_149
Index date: 30 April 2013
بررسی و تحلیل مداری تونل زنی در ترانزیستور تک الکترونی abstract
[توضیح سیویلیکا: فایل مقاله دارای مشکل است و فرمولها به درستی نمایش داده نمی شوند]
ترانزیستور تک الکترونی مهم ترین قطعه ای است که در علم نانوالکترونیک اختراع شده است و در صورت تولید این ترانزیستور به گونه ای که قابلیت کار در دمای اتاق را داشته باشد توان مصرفی وسایل الکترونیکی و قدرت محاسباتی پردازنده ها را میتواند متحول کند اساس کار ترانزیستور تک الکترونی بر پدیده ی تونل زنی استوار است. تونل زنی پدیده ای است که فقط با فیزیک کوانتوم قابل توجیه است و با فیزیک کلاسیکتوجیه نمی شود. در این مقاله با مدل سازی ساختار ترانزیستور واتصالات آن با مقاومت و خازن توانسته ایم معادلات ریاضی توضیح دهنده ی تونل زنی الکترون در ترانزیستور تکالکترونی را استخراج کنیم و با استفاده از این معادلات به توجیه رفتار الکترون و نحوه ی قرارگیری آن در باندهای انرژی به هنگام تونل زنی در ترانزیستور بپردازیم
بررسی و تحلیل مداری تونل زنی در ترانزیستور تک الکترونی Keywords:
بررسی و تحلیل مداری تونل زنی در ترانزیستور تک الکترونی authors
میرمسعود حسینی کوکمری
دانشگاه علم و صنعت ایران
علیرضا احسانی اردکانی
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :