ساختار، ویژگیها وکاربردهایGaN
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 760
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_161
Index date: 30 April 2013
ساختار، ویژگیها وکاربردهایGaN abstract
کاربرد نیمه هادی ها در زندگی امروزه حقیقتی غیر قابل انکار است .از این میان به دلیل افزایش تقاضا کاربردهای با پهنای باند بالا رو به افزون است.از این رو نیمه رساناهای با گاف انرژی بالا جهت کاربردهای الکترونیکی با توان بالا بسیارمورد توجه طراحان قرار گرفته است.از جمله این کاربردها فرستنده های مایکروویوی ارتباطات ورادار هستند. به نظر می رسدGaN به دلیل داشتن گاف انرژی بالا در تکنولوژی وسایل و مواد نوید بخش باشد.در این نوشتار به ساختار ،کاربرد وچالش های پیش روی این نیمه هادی پر کاربرد پرداخته شده است
ساختار، ویژگیها وکاربردهایGaN Keywords:
گاف انرژی , تقویت کننده های توانGaN
ساختار، ویژگیها وکاربردهایGaN authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :