بررسی تأثیر پیوندهای آویزان و اندازه بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بااستفاده از روش شبهپتانسیل
Publish place: First Iranian Conference on Nano Electronics
Publish Year: 1391
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,024
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICNE01_204
Index date: 30 April 2013
بررسی تأثیر پیوندهای آویزان و اندازه بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بااستفاده از روش شبهپتانسیل abstract
در این مقاله تأثیرات اندازه و پیوندهای آویزان بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بررسی شده است . محاسبات در چارچوب نظریهی تابعی چگالی و به روش شبه پتانسیل توسط بستهی نرم افزاریEspresso با تقریبLDA انجام شده است . با مقایسهی انرژی تشکیل نانوسیمها، پایداری آنها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان می دهد با افزایش قطر، چگالی پیوندهای آویزان کمتر و پایداری نانوسیمهابیشتر میشود. همچنین مقدار گاف نواری برای حالت توده و نانوسیمها محاسبه شد. در قطرهای کوچک با افزایش گاف مواجه هستیم، اما در قطرهای بزرگتر روندی نزولی در گافنواری دیده میشود و به مقدار گاف حالت توده همگرا میشود
بررسی تأثیر پیوندهای آویزان و اندازه بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بااستفاده از روش شبهپتانسیل Keywords:
بررسی تأثیر پیوندهای آویزان و اندازه بر پایداری و گاف انرژی نانوسیمهای فاز ورتسایتInAs بااستفاده از روش شبهپتانسیل authors
حمداله صالحی
آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،
صغری بهرامی ده توتی
آزمایشگاه ماده چگال محاسباتی، گروه فیزیک، دانشگاه شهید چمران،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :