ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

اثر میدان مغناطیسی عمودی بر خواص الکترونی و ترابردی نانو نوارهای سیلیسین لبه دسته مبلی

Publish place: Journal of Advanced Materials in Engineering، Vol: 42، Issue: 2
Publish Year: 1402
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 26

This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:
https://civilica.com/doc/1942289

شناسه ملی سند علمی:

JR_JAME-42-2_004

تاریخ نمایه سازی: 28 اسفند 1402

Abstract:

در این مقاله، اثر اعمال میدان مغناطیسی عمودی بر خواص الکترونی و ترابردی سه گروه از نانو نوارهای سیلیسین لبه دسته مبلی بررسی شد. نانو نوارهای سیلیسین مورد مطالعه دارای ۵ الی ۷ اتم سیلیکون در عرض می باشند که گاف های نواری متفاوتی دارند. میدان مغناطیسی عمودی با قدرت های ۰/۱، ۰/۲ و ۰/۳ الکترون ولت به نانو نوارها اعمال شد. با اعمال میدان مغناطیسی عمودی، تغییراتی در آرایش الکترونی نانو نوار به وجود آمد، در نتیجه خواص الکترونی و ترابردی نانو نوارها نظیر طیف گسیل، ساختار نواری و مشخصه جریان- ولتاژ تغییر یافت. نتایج نشان داد که اعمال میدان مغناطیسی عمودی به نانو نوارهای سیلیسین لبه دسته مبلی که تحت اختلاف پتانسیل الکتریکی قرار گرفته اند باعث افزایش جریان عبوری می شود. محاسبات با استفاده از تقریب تنگ بست به همراه فرمول بندی تابع گرین غیرتعادلی انجام شد.

Keywords:

Authors

رضا کلامی

دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران

سید احمد کتابی

دانشکده فیزیک، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Leoni T, Hogan C, Zhang K, Daher Mansour M, Bernard ...
  • Duan H, Guo H, Zhang R, Wang F, Liu Z, ...
  • Bechstedt F, Gori P, Pulci O. Beyond graphene: Clean, hydrogenated ...
  • Naumis GG, Electronic properties of two-dimensional materials. InSynthesis, Modeling, and ...
  • Howlader AH, Islam MS, Ferdous N. Phonon transmission of vacancy ...
  • Song YL, Zhang Y, Zhang JM, Lu DB. Effects of ...
  • Zhang X, Zhang D, Xie F, Zheng X, Wang H, ...
  • Guo X, Liu L, Xiao Y, Qi Y, Duan C, ...
  • Singh N, Yadav D, Mulay SV, Kim JY, Park NJ, ...
  • Bafekry A, Faraji M, Stampfl C, Sarsari IA, Ziabari AA, ...
  • Saraswat V, Jacobberger RM, Arnold MS. Materials science challenges to ...
  • Kargar F, Krayev A, Wurch M, Ghafouri Y, Debnath T, ...
  • Taheri N, Moradi M, Farzad MH. Structural, electronic and magnetic ...
  • Kistanov AA, Khadiullin SK, Dmitriev SV, Korznikova EA. Effect of ...
  • Ajeel FN, Mohammed MH, Khudhair AM. Energy bandgap engineering of ...
  • Xu J, Wan Q, Wang Z, Lin S. The band ...
  • Do TN, Shih PH, Gumbs G, Huang D. Influence of ...
  • Chegel R. Engineering the electronic structure and band gap of ...
  • Zhao T, Fan ZQ, Zhang ZH, Zhou RL. Electronic structure, ...
  • Shayeganfar F. Strain engineering of electronic properties and anomalous valley ...
  • Pantelides ST. The electronic structure of impurities and other point ...
  • Santos EJ, Ayuela A, Sánchez-Portal D. First-principles study of substitutional ...
  • Yang X, Wu G. Itinerant flat-band magnetism in hydrogenated carbon ...
  • Shima N, Aoki H. Electronic structure of super-honeycomb systems: A ...
  • Tang E, Fu L. Strain-induced partially flat band, helical snake ...
  • Kopnin NB, Heikkilä TT, Volovik GE. High-temperature surface superconductivity in ...
  • Tamura, H., Shiraishi, K., Kimura, T. and Takayanagi, H., Flat-band ...
  • Wang J, Deng S, Liu Z, Liu Z. The rare ...
  • Li LL, Moldovan D, Xu W, Peeters FM. Electric-and magnetic-field ...
  • Gholami M, Golsanamlou Z, Rahimpour Soleimani H. Effects of ۳d ...
  • Khoeini F, Nazari M, Shekarforoush S, Mahdavifar M. Electromechanical and ...
  • Cao L, Ang YS, Wu Q, Ang LK. Electronic properties ...
  • Kalami R, Ketabi SA. Spin-dependent thermoelectric properties of a magnetized ...
  • An XT, Zhang YY, Liu JJ, Li SS. Spin-polarized current ...
  • Farokhnezhad M, Esmaeilzadeh M, Ahmadi S, Pournaghavi N. Controllable spin ...
  • Aghaiimanesh Z, Chegel R, Ghobadi N. Thermoelectric performance of biased ...
  • Smidstrup S, Markussen T, Vancraeyveld P, Wellendorff J, Schneider J, ...
  • Ahn EC, ۲D materials for spintronic devices. ۲D Materials and ...
  • Zaminpayma E, Nayebi P. Band gap engineering in silicene: A ...
  • Datta S. Electronic transport in mesoscopic systems. Cambridge university press; ...
  • Chuan MW, Wong KL, Hamzah A, Riyadi MA, Alias NE, ...
    • نمایش کامل مراجع