بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si با روش مونتکارلو برای طراحی و بهینه سازی افسارههای الکترونیکی
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 926
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AIHE06_183
تاریخ نمایه سازی: 31 تیر 1392
Abstract:
در این مقاله با استفاده از تکنیک شبیه سازی مونتکارلو و در نظر گرفتن عوامل مختلف پراکندگی از قبیل فونون اکوستیکی، فونون نوری قطبی و غیر قطبی و ...، خواص ترابرد الکترونها در نیمه هادی Si مورد مطالعه قرار گرفته است. با در نظر گرفتن یک مدل تک درهای، غیر همسانگردی نیمه هادی و غیر سهموی بودن نوار هدایت تغییرات سرعت سوق در حضور میدانهای الکتریکی مختلف، دماهای مختلف در حالت پایدار و ناپایدار بررسی ده است. با استفاده از نمودارهای زمان ترابرد و سرعت سوق الکترونها برحسب ابعاد افزاره، می توان استفاده از این نیمه هادی در ساخت افزاره های الکترونیکی را بهینه سازی ک رد. همچنین برای اعتبار سنجی مدل ارائه شده، برخی از نتایج حاصل از شبیه سازی مونتکارلو با نرم افزار سیلواکو مقایسه شده است.
Keywords:
Authors
عبدالنبی کوثریان
دانشگاه شهیدچمران اهواز، عضو هیات علمی گروه علمی مهندسی برق ، اهواز
فاطمه حدادیان
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق، اهواز
فاطمه روستایی
دانشگاه شهید چمران اهواز، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق، اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :