تحلیل و طراحی ساختار خازن منفی و کاربرد آن در افزایش فرکانس اسیلاتور

در این مقاله یک ساختار جدید برای بدست آوردن خازن منفی با استفاده از ترانزیستورهایMOSFETارائه شده است.امپدانس خروجی دیده شده از دو سر مدار ارائه شده با در نظر گرفتن تمامی خازنهای پارازیتی بدست آمده است. این امپدانسخروجی علاوه بر دارا بودن بخش خازنی منفی، یک بخش مقاومتی منفی هم دارد. در نتیجه با قرار دادن این امپدانس در گره های خروجی یک اسیلاتور حلقوی با طبقات تفاضلی علاوه بر کاهش خازن معادل دیده شده از آن گ ره، مقاومت معادل آن را هم کاهش می دهد در نتیجه موجب افزایش فرکانس نوسان می شود. کار ایی ای ن روش با ش بیه سا زی ی ک اس یلاتور حلق وی 4 طبق ه با طبقات تفاضلی بررسی شده است. ساختار های ارائه شده توسط تکنولوژیTSMC CMOS 0.13 umشبیه ساز ی شده اند. نتایج شبیه سازی افزایش 7 برابری فرکانس نوسان در اسیلاتور های حلقوی را با اضافه کردن مدار خازن منفی نشان می دهند

Keywords:

خازن منفی , ادمیتانس خروجی , اسیلاتور , فرکانس نوسان