استفاده از مقاومت گیت برای تطبیق امپدانس ورودی در طراحی تقویت کننده کم نویز
Publish place: 12th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 4,808
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_236
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
Abstract:
طراحی و شبیه سازی نتایج تقویت کننده تماما مجتمع در فرکانس 5.7GHz نشان داده شده است . در طراحی این LNA، مقاومت پارازیت ورودی گیت MOSFET با یک شبکه LC ساده به 50 اهم تبدیل می شود. با این کار نیازی به دژنراسیون سلفی نیست. با این روش به دلیل حذف سلف در سورس MOSFET بهره افزایش می یابد . یکی از مهمترین فاکتورهای LNA تطبیق امپدانس ورودی می باشد که مقدار این پارامتر در فرکانس مدار برابرdB - 14 و تطبیق امپدانس خروجی 14.7-dB و گین 15.2dB و عدد نویز 4dB می باشد. این مدار با تغذیه 10mwو1.8v توان مصرف می کند.
Keywords:
Authors
احسان کارگران
مهندسی الکترونیک موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
حجت خسروجردی
مهندسی الکترونیک موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
کریم غفارزادگان
مهندسی الکرتونیک موسسه آموزش عالی سجاد - مشهد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :