بررسی عملکرد ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی CNFETs بارویکردی برروشهای بهینه سازی و کاربرد آن درمقایسه با cmos سیلیکانی
Publish place: Congress on Electrical, Computer and Information Technology
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,729
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CECIT01_606
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1392
Abstract:
دراین مقاله ابتدا مروری مختصربرتزانزیستورهای نانولوله کربنی CNT خواهیم داشت و سپس به بررسی روشهای بهینه سازی آن خواهیم پرداخت ویژگیهای DC,AC ترانزیستورهای CNFET و بررسی مشخصه های CNFET دردمای بالا نیز نشان داد که برخلاف MOSFET ها جریان زیراستانه دریان قطعات با دما کاهش می یابد بنابراین با استفاده ازCNFET ها دردمای بالا میتوان سرعت بیشتر و نشت کمتر جریان را به دست آورد فرایندهای سنتز جریان CNT ها کامل نیستند یکی ازمباحث جنجالی دراین حوزه وجود نوسان چگالی دررشد CNT است و همچنین تحلیلی ازاعتبار CNFET به دلیل اینکه نوسان چگالی CNT می تواند منجر به شکست کامل CNFET شود بنابراین به بررسی این موضوع نیز پرداخته خواهد شد ودراخر کاربردهای CNFET و مقایسه آن با CMOS با استفاده ازتازه ترین گزارشات ازمدارهای منطقی CNFET را ارایه کرده و یک مبدل دیجیتال به انالوگ DAC فرمان جریان 10 بیتی با استفاده ازCNFET را نیز معرفی خواهیم کرد
Keywords:
Authors
مرتضی زیلایی بوری
دانشجوی کارشناسی ارشد
محسن مهران زاده
دانشجوی کارشناسی ارشد
زهرا فرجی
دانشجوی کارشناسی ارشد
سیدرضا طالبیان
استادیاردانشگاه امام رضاع
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :