بررسی و مقایسه انواع سلول های SRAM طراحی شده و بیان چالش های موجود در طراحی با تکنولوژی CNTFET
Publish place: 5th National Conference on Electrical Engineering of Iran
Publish Year: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 579
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NEEC05_101
تاریخ نمایه سازی: 7 خرداد 1398
Abstract:
در این مقاله، ابتدا حافظه های متنوعی که از لحاظ تعداد سلول بکار رفته 4Tr,5Tr,6Tr,7Tr,8Tr,9Tr,10Tr,11Tr,13Tr تا به امروز برای حافظه SRAM طراحی شدهاند، در تکنولوژی MOSFET با یکدیگر از لحاظ حاشیه نویز استاتیک، حاشیه نویز نوشتن، تاخیر خواندن و توان مصرفی مورد مقایسه قرار می گیرند و همچنین تاثیر ویژگی هایغیرایده آل نانولوله ها مانند تغییر در قطر نانولوله و اثرنانولوله های هادی ونیمه هادی در تکنولوژی CNTFET ساختار این سلول ها مورد بررسی قرار می گیرد. قطرنانولوله به نسبت ماهیت نانو لوله (که هادی باشد یا نیمه-هادی) تاثیر بیشتری روی توان مصرفی کل دارد. در این بررسی با افزایش قطر نانولوله، تاخیر عملیات خواندن کاهش می یابد و با افزایش درصد نانولوله های هادی، تاخیر عملیات خواندن افزایش می یابد. پس با توجه به اینکه حداقل تاخیر عملیات خواندن ایده آل ما می باشد، باید تاثیر ماهیت نانولوله را هم در طراحی لحاظ کرد. با افزایش توامان نانولوله های هادی و قطر نانولوله، حاشیه نویز ایستا کاهش یافته در حالیکه پارامتر حاشیه نوشتن با افزایش قطر نانولوله افزایش و با افزایش نانولوله های هادی کاهش می یابد. اثر قطر نانولوله روی پارامترهای حاشیه نویز ایستا و حاشیه نوشتن، نسبت به اثر ماهیت نانولوله بیشتر است.
Keywords:
Authors
لیلا انصاری بنی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
ابراهیم برزآبادی
هیات علمی دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی،نجف آباد، ایران
هومان فرخانی
هیات علمی دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی،نجف آباد، ایران