سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

دیودهای رانشی با بازیافت پله ای

Publish Year: 1392
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 708

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICEEE05_040

Index date: 24 November 2013

دیودهای رانشی با بازیافت پله ای abstract

باتوجه به طراحی افزارهای قدرت مختلف پیشرفت زیادی درزمینه ساخت این افزارها صورت گرفته است ولی باتوجه به محدودیت توان افزارهای قدیمی و عدم کاربرد آنها درساخت ژنراتورهای پالسی توان بالا نوع جدیدی ازافزاره قدرت نیمه هادی تحت عنوان دیودهای رانشی با بازیافت پله ای Drift DSRD Step Recovery Diode یا کلیدبازشونده نیمه هادی تولید شد این دیود یک کلیدبازشونده نیمه هادی است ودارای خصوصیات توان بسیاربالا درحدمگاوات اندازه کوچک تکرارپذیری بالا ودرعین سادگی مدارراه انداز می باشد دراین مقاله به بررسی ساختارفیزیکی دیودDSRD و عملکرد آن پرداخته میشود.

دیودهای رانشی با بازیافت پله ای Keywords:

کلیدهای بازشونده , دیودهای رانشی با بازیافت پله ای , ژنراتورهای نانوثانیه ای توان بالا , پلاسما , ناحیه بارفضایی

دیودهای رانشی با بازیافت پله ای authors

مرتضی فتحی پور

عضو هیات علمی دانشگاه تهران

محمود نیکوفرد

عضو هیات علمی دانشگاه کاشان

سیمین حسینی

کارشناس ارشد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
I. V. Grekhov, S V. Korotkov, and P. B. Rodin, ...
P. Rodin, A. Rodina, and I. Grekhov, :Feld- enhanced ionization ...
P. Rodin, U. bert, W. Hundsdorfer, and I. Grekhov, :0Tunneli ...
S K. Lyubutin, S N. Rukin, B. G. sovikovsky, and ...
using the tunneli ng-assted impact ionization front in a silicon ...
S N. Rukin, E A. Alichkin, S K. Lyubutin, G. ...
basedsw itching, " in Hoc. 13th IEEE Int. PuIsed Power ...
CircuitM ethod. Hoboken, Nd Wiley, 2009, ch. 2. ...
SIvaco Athena uSeer manual, Slicon Valley Company , 2009. ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "دیودهای رانشی با بازیافت پله ای" توسط مرتضی فتحی پور، عضو هیات علمی دانشگاه تهران؛ محمود نیکوفرد، عضو هیات علمی دانشگاه کاشان؛ سیمین حسینی، کارشناس ارشد نوشته شده و در سال 1392 پس از تایید کمیته علمی پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله کلیدهای بازشونده، دیودهای رانشی با بازیافت پله ای، ژنراتورهای نانوثانیه ای توان بالا، پلاسما، ناحیه بارفضایی هستند. این مقاله در تاریخ 3 آذر 1392 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 708 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که باتوجه به طراحی افزارهای قدرت مختلف پیشرفت زیادی درزمینه ساخت این افزارها صورت گرفته است ولی باتوجه به محدودیت توان افزارهای قدیمی و عدم کاربرد آنها درساخت ژنراتورهای پالسی توان بالا نوع جدیدی ازافزاره قدرت نیمه هادی تحت عنوان دیودهای رانشی با بازیافت پله ای Drift DSRD Step Recovery Diode یا کلیدبازشونده نیمه هادی تولید شد این دیود یک کلیدبازشونده ... . برای دانلود فایل کامل مقاله دیودهای رانشی با بازیافت پله ای با 8 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.