افزایش مقاومت سلول SRAM کم توان در برابر خطای نرم
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 941
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE05_055
تاریخ نمایه سازی: 3 آذر 1392
Abstract:
باتوجه به پیشرفت تکنولوژی درمقیاسهای نانو و پایین تر گرایش به ساخت مدارات دراین مقیاس ها افزایش چشمگیری یافته است که نتیجه آن کاهش ولتاژ راه اندازی توان و سطح مصرفی است البته با کاهش مقیاس اثرنویز و خطاها بویژه خطای نرم افزایش می یابد هدف این مقاله ارایه روشهایی برای مقاوم ترکردن یک سلول SRAM باتوان و سطح مصرفی مناسب دربرابر خطای نرم است سلول مبنای ارایه شده یک سلول SRAM 8ترانزیستور است ازراه های بکاررفته دراین مقاله برای افزایش مقاومت سلول دربرابر خطای نرم افزایش ظرفیت خازنی مدار به جهت افزایش قدرتجمع آوری بار و نیز افزایش ثابت زمانی مدار است نتایج شبیه سازی سلول 8ترانزیستوری باروشهای پیشنهادی با استفاده ازنرم افزارHSPICE و مقایسه آن با سلول 6ترانزیستوری استاندارد و سلول 8ترانزیستوری مبنا نشان میدهد باوجود افزایش تعدادترانزیستورودرنتیجه افزایش سطح مصرفی مقاومت سلول دربرابر خطای نرم افزایش می یابد
Keywords:
Authors
مصطفی ساجدی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک
راهبه نیارکی اصلی
عضو هیات علمی دانشکده فنی،دانشگاه گیلان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :