لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (6H-SiC، 3C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی

رباب مددی; سعید مرجانی; رحیم فائز

لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (6H-SiC، 3C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی

Publish place: 3nd National Conference on Optic and Laser Engineering (ICOLE2013)

Publish Year: 1392

Type: Conference paper

Language: Persian

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/223885

Document National Code:

NCOLE03_181

Index date: 19 December 2013

لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (6H-SiC، 3C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی abstract

در این مقاله تاثیر خود گرمایی روی مشخصات یک لیزر دیودی بررسی شده است. در این ساختار چاه کوانتوم 3C-SiC در میان لایه هایی از 6H-SiC به عنوان ناحیه های روکش قرار گرفته است که می تواند به دلیل ایجاد قطب الکتریکی در بلور ها بوسیله تغییر حرارت 6H به عنوان یک هترو ساختار نوع II و میدان الکتریکی درون ساخت با استفاده از شبیه ساز صنعتی تفسیر شود. مقاومت گرمایی برای مدل کردن اتصالات فلزی سبب افزایش دمایی در حدود 14.1 کلوین بالاتر از دمای محیط در ولتاژ بایاس 1.5 ولت می شود. همچنین، عوامل متفاوت منابع گرمایی درون ساختار بر اساس افزایش دمای شبکه شبیه سازی شده است. این مقاله نتایج مهمی از مشخصات وسیله با اساس دمای شبکه از جمله توان خروجی برحسب بایاس الکتریکی، جریان بر اساس ولتاژ و عوامل متفاوت منابع گرمایی را ارائه می دهد.

لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (6H-SiC، 3C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی Keywords:

خودگرمایی , منابه گرمایی , پلیمر هاَی کاربید سیلیکون , لیزر نیمه هادی

لیزر نیمه هادی پلیمرهای کاربید سیلیکون (6H-SiC، 3C-SiC and 4H-SiC6) : اثرات خودگرمایی authors

رباب مددی

گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک، اراک، ایران

سعید مرجانی

گروه مهندسی برق، دانشگاه فردوسی مشهد، مشهد، ایران

رحیم فائز

گروه مهندسی برق ، دانشگاه صنعتی شریف، تهران، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

P.G. Neudeck, in: K.H.J. Bushchow, R.W. Cahn, M.C. Flemings, B. ...

Mohit Bhatnagar and B. Jayant Baliga, Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, ...

Takahiro Muranaka, Yoshitake Kikuchi, Taku Yoshizawa, Naoki Shirakawa and Jun ...

P. L. Deny, R. J. Fu, C. S. Hong, E. ...

Y. Zou, J. S. Osinski, P. Grodzinski, P. D. Dapkus, ...

E. C. Vail, C. J. Chang-Ha snain, and R. F. ...

R. F. Kazarinov and M. R. Pinto, Carrier transport in ...

D. P. Bour, D. W. Trat, R. L. Thornton, R. ...

Saeid Marjani, Rahim Faez, Hamid Marjani, Design and Modeling of ...

SILVACO International Incorporated, ATLAS User s Manual; SILV ACO, Inc. ...

نمایش کامل مراجع