کاهش جریان نشتی در نانوترانزیستورهای با دو گیت سیلیکون فوق نازک
Publish place: 2nd Nanotechnology Student Conference
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,190
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NANOSC02_021
تاریخ نمایه سازی: 27 دی 1385
Abstract:
قسمتهای مهم در ساختار نانوترانزیستور ها کانال عبوری حامل ها و گی ت دی الکتریک می باشند . با بهبود شرایط و نوع کانال و گیت بکار رفته در ترانزیستورها میتوان جریان عبوری را تا حد دلخواهی افزایش داد . در این پروژه از نانولولهی کربنی با توجه به ویژگی - های خاصش به عنوان کانال نام می بریم و چگونگی عبور حامل ها را از این کانال با استفاده از روش تحلیلی لاندائو - بوتیکر مورد مطالعـه قرار دادیم . نتایج نشان می دهند که به دلیل افزایش مقاومت در برابر حرکت حامل ها که باعث کاهش جریان مطلوب از کانال ایجاد شده در زیر گیت میشود، میتوان از سیستمهای دو گیتی به جای سیستم یک گیتی در ترانزیستورها استفاده نمود
Keywords:
ترانزیستورهای اثر میدانی , روش تحلیلی لاندائو - بوتیکر , گیت اکسید سیلیکون , سیم کوانتومی , نانوترانزیستورها
Authors
رقیه امیری
بابلسر، دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک
علی بهاری
بابلسر، دانشگاه مازندران، دانشکده علوم پایه، گروه فیزیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :