ساخت یک سلول خورشیدی تک پیوندی به روش رونشستی پرتومولکولی

اساس تولید انرژی الکتریکی در سلولهای خورشیدی، پدیده فتوولتالیک است که طی آن در یک پیوندpnبر اثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. هدف از این مقاله، ارائه یک سلول خورشیدی بدست آمده از روش رونشستی پرتو مولکولی می باشد. این سلول خورشیدی از طریق رشد یک لایه با ضخامت چند اتم، از جنس گالیم آرسناید نوعnبا ناخالصی سیلیکون، بر روی زیر لایه ای از جنس گالیم آرسناید نوعPبا چگالی معین رشد داده می شود، رشد این لایه گالیم آرسناید توسط دستگاه رونشستی پرتو مولکولی، صورت گرفته است. زیرا دستگاه رونشستی با کمک پرتو مولکولی قادر است لایههایی از نیمه هادیهای مختلف را بر روی زیر لایه نیمه هادی گالیم آرسناید بنشاند. با توجه به مقادیر محاسبه شده در این آزمایش و با مقایسه با نتایج آزمایشهای قبلی انجام شده، ملاحظه می شودکه افزایش ولتاژ مدار باز سبب افزایش بازده سلول خورشیدی می شود، زیرا افزایش ولتاژ مدار باز سبب کاهش شدید، سرعت باز ترکیب حاملها در نیمه هادی می شود

Keywords:

پدیده فتوولتالیک , پیوندpn ولتاژ مدار باز- رونشستی پرتو مولکولی