سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

ساخت یک سلول خورشیدی تک پیوندی به روش رونشستی پرتومولکولی

Publish Year: 1392
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 883

This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

BSNANO03_148

Index date: 29 January 2014

ساخت یک سلول خورشیدی تک پیوندی به روش رونشستی پرتومولکولی abstract

اساس تولید انرژی الکتریکی در سلولهای خورشیدی، پدیده فتوولتالیک است که طی آن در یک پیوندpnبر اثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. هدف از این مقاله، ارائه یک سلول خورشیدی بدست آمده از روش رونشستی پرتو مولکولی می باشد. این سلول خورشیدی از طریق رشد یک لایه با ضخامت چند اتم، از جنس گالیم آرسناید نوعnبا ناخالصی سیلیکون، بر روی زیر لایه ای از جنس گالیم آرسناید نوعPبا چگالی معین رشد داده می شود، رشد این لایه گالیم آرسناید توسط دستگاه رونشستی پرتو مولکولی، صورت گرفته است. زیرا دستگاه رونشستی با کمک پرتو مولکولی قادر است لایههایی از نیمه هادیهای مختلف را بر روی زیر لایه نیمه هادی گالیم آرسناید بنشاند. با توجه به مقادیر محاسبه شده در این آزمایش و با مقایسه با نتایج آزمایشهای قبلی انجام شده، ملاحظه می شودکه افزایش ولتاژ مدار باز سبب افزایش بازده سلول خورشیدی می شود، زیرا افزایش ولتاژ مدار باز سبب کاهش شدید، سرعت باز ترکیب حاملها در نیمه هادی می شود

ساخت یک سلول خورشیدی تک پیوندی به روش رونشستی پرتومولکولی Keywords:

پدیده فتوولتالیک , پیوندpn ولتاژ مدار باز- رونشستی پرتو مولکولی

ساخت یک سلول خورشیدی تک پیوندی به روش رونشستی پرتومولکولی authors

حجت حمیدی

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی تهران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
حجت اله حمیدی، طراحی و رشد یک دیوید Pn به ...
I9] محمود سام کن طراحی و ساخت دیود شاتکی و ...
احمید رضا صوفی _ طراحی و ساخت حسگر مغناطیسی اثر ...
م. سام کن -م .محمد خانی- ح. حمیدی-ا.کسایی، " طراحی ...
M.Shur , GaAs Devices and Circtit _ Yourk, Plenum Pres ...
A. Mohades - Kassai _ International Conference On M icroelctronics ...
E.H.Rhoderick , R.H.Willams _ Metal- Semiconductor Contacts , _ Oxford ...
A .Mohades -Kassai , M.R Brozel, International Sympossium on GaAs ...
A. Mohades - Kassai , M.R. Brozel , International ...
3]A.M.Kassai, Gallium Arenide Metal Semiconductor Field Effect Transistor Grown by ...
Physics , Vol.69, No. 10, May 199 1, pp.7142-45 ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "ساخت یک سلول خورشیدی تک پیوندی به روش رونشستی پرتومولکولی" توسط حجت حمیدی، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی تهران نوشته شده و در سال 1392 پس از تایید کمیته علمی سومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله پدیده فتوولتالیک، پیوندpn ولتاژ مدار باز- رونشستی پرتو مولکولی هستند. این مقاله در تاریخ 9 بهمن 1392 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 883 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که اساس تولید انرژی الکتریکی در سلولهای خورشیدی، پدیده فتوولتالیک است که طی آن در یک پیوندpnبر اثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. هدف از این مقاله، ارائه یک سلول خورشیدی بدست آمده از روش رونشستی پرتو مولکولی می باشد. این سلول خورشیدی از طریق رشد یک لایه با ضخامت چند اتم، از جنس گالیم آرسناید نوعnبا ناخالصی سیلیکون، ... . برای دانلود فایل کامل مقاله ساخت یک سلول خورشیدی تک پیوندی به روش رونشستی پرتومولکولی با 10 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.