محاسبه بهره لیزرهای چاه کوانتومی تنشی شده GaAs−AlxGa1−x As تحت تنش فشاری
Publish place: Iranian Physics Conference 1385
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,918
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_053
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
Abstract:
بهره قطبشهای TMو TE در ساختار لیزر چاه کوانتومی تنشیAl x Ga − x As - GaAs با در نظرگرفتن جفت شدگی نوار ظرفیت محاسبه شده اند . نتایج بدست آمده نشان می دهد که در اثر تنش فشاری زیر نوار حفره های سبک، LH1 ، به سمت بالا و زیر نوار حفره های سنگین، HH1 ، به سمت پایین جابجا می شوند . از مقایسه طیفهای بدست آمده با طیفهای ساختار غیر تنشی نتیجه می شود که بهره قطبش TE کاهش ولی در قطبش TM افزایش می یابد . در محاسبات انجام گرفته زیر نواهای hh1 و 1 لحاظ شده اند
Authors
احسان رحیمیان محمدی
مرکز تحقیقات لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران
وحید احمدی
مرکز تحقیقات لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران، تهران، گروه الکترونیک،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :