A 5 GHzLow Power High Gain Optimtzed LNA for VDSM Technologies
Publish place: 15th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 3,211
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE15_406
تاریخ نمایه سازی: 17 بهمن 1385
Abstract:
The capability of VDSM CMOS technologies for low power, RF front-end integration is demonstrated through fully integrated low power low noise amplifiers. This pnper presents an efficient design methodology for LNAs at GHz frequencies, particularly for the range of (5.15-5.35) GHz for very deep submicron (VDSM) technologies. As design constraints for the LNA, NF (Noise Figure) is assumed to be less than 1.8 dB, and power consumption to be less than 3 mW for a 1.2 Y supply voltage. The HSPICE simulation results verifies I mW power consumption while keeping the NF=l.8 dB.
Keywords:
Authors
Shahaboddin Moazzeni
VLSI Lab, Faculty of ECE, University of Tehran, Tehran, Iran
Nasser Masoumi
VLSI Lab, Faculty of ECE, University of Tehran, Tehran, Iran
Fatemeh Kalantari
VLSI Lab, Faculty of ECE, University of Tehran, Tehran, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :