اثرات پخت در خلاء بر خواص لایه های نازک و شفاف کندوپاش شده ITO
Publish place: 2nd National Conference on Vacuum
Publish Year: 1385
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,145
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCV02_015
Index date: 9 February 2007
اثرات پخت در خلاء بر خواص لایه های نازک و شفاف کندوپاش شده ITO abstract
لایههای نازک اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) بر روی زیرلایههای شیشهای به شیوه کندوپاش RF با توان 280 وات و با استفاده از هدف سرامیکی ITO (%In2O3-SnO2 ،90-10 wt لایه نشانی شده، سپس عملیات پخت بعد از انجام لایه نشانی، در محیط خلاء انجام گرفته است . مقاومت الکتریکی، خواص اپتیکی و ساختار کریستالی این لایهها به ترتیب توسط آنالیزهای مقاومت چهار پروبی، طیف سنج UV/VIS/IR و XRD بررسی شده است . نتایج نشان میدهند که با افزایش دمای پخت در خلاء نسبت به پخت در شرایط مشابه اما در محیط اتمسفر، خواص کریستالی و مقاومت الکتریکی بهبود یافته و شفافیت مناسبی حاصل می گردد . مقاومت الکتریکی لایهها قبل از پختΩcm 19ضربدر ده به توان منفی 4 است که با افزایش دمای پخت در خلاء تا 500 °C به Ωcm ٧/٣×10به توان -5 کاهش مییابد
اثرات پخت در خلاء بر خواص لایه های نازک و شفاف کندوپاش شده ITO authors
نگین معنوی زاده
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
ابراهیم اصل سلیمانی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک، گروه مهندسی برق وکامپیوتر، دانشک
هادی ملکی
پژوهشکده لیزر، سازمان انرژی اتمی ایران
رضا افضل زاه
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی