اثر بازپخت برروی تشکیل فاز β−SiC در نمونه های سیلیکونی بمباران شده با متان؛ مشخصه یابی به کمک طیف سنجی FTIR

حسن دیباجی; مجید مجتهدزاده; محسن صالح کوتاهی; عبدالجواد نوین روز

اثر بازپخت برروی تشکیل فاز β−SiC در نمونه های سیلیکونی بمباران شده با متان؛ مشخصه یابی به کمک طیف سنجی FTIR

Publish place: Iranian Physics Conference 1384

Publish Year: 1384

Type: Conference paper

Language: Persian

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/26052

Document National Code:

IPC84_075

Index date: 24 February 2007

اثر بازپخت برروی تشکیل فاز β−SiC در نمونه های سیلیکونی بمباران شده با متان؛ مشخصه یابی به کمک طیف سنجی FTIR abstract

گاز متان با انرژی 90 keV و گستره دز از / cm 2 یون 4 ×10به توان 17 تا 3/2 ×10 به توان 18 درون سیلیکون کاشته شده است . دمای زیر لایه ها در حین کاشت 570 0 C و بازپخت بعدی در دمای 980 0 C بوده است . اندازه گیری های FTIR نشان می دهد که بلافاصله بعد از کاشت، پیوند بین کربن و سیلیکون برقرار شده و کاربید سیلیکون آمورف هیدروژن دار ) ) a−SiC : H تشکیل و بعد از بازپخت، لایه های آمورف به β −SiC تبدیل شده اند . در این مقاله نشان داده شده است که میزان کریستالیزه شدن β −SiC از دز / cm 2 یون 4 ×10 به توان 17 تا دز 1/2 × 10به توان 18 افزایش و بعد از این دز تا 3/2 × 10به توان 18 کاهش یافته است . بنابراین دز بهینه ای برای تشکیل β −SiC وجود دارد . همچنین در این مقاله ضخامت لایه ها بوسیله طیف سنجی FTIR محاسبه شده است

اثر بازپخت برروی تشکیل فاز β−SiC در نمونه های سیلیکونی بمباران شده با متان؛ مشخصه یابی به کمک طیف سنجی FTIR authors

حسن دیباجی

سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج

مجید مجتهدزاده

سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج

محسن صالح کوتاهی

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی، دانشکده علوم، گروه فیزیک

عبدالجواد نوین روز

سازمان انرژی اتمی ایران، مرکز تحقیقات کشاورزی و پزشکی هسته ای مرکز کرج

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

R.F.Davis, G.Kelner, M.Shur, J.W.Pamour, J.A.Edmond, Proc.IEEE 79 (1991) 677. ...

Y.Hamakawa, T.Toyama, H.Okamoto, J.Non-Cryst. Solids 115 (1989) 180. ...

P.Melinon, X.Blase, P.Keghelian, A.Perez, M.Pellarin, M.Broyer, A.M.Flank, P.Lagarde, Phys.Rev.B 65 ...

K.Volz, W.Ensinger, B . Rauschenbach _ B.Stritziteker, NIMB 141 (1998) ...

K.Volz, K.Baba, R.Hatada, W.Ensibger, Surface and Coatings technology 136 (2001) ...

K.Volz, Ch.Klatt, W.Ensinger, NIMB 175-177 (2001) 569-574. ...

K.Volz, W.Ensinger, Surface and Coatings technology 156 (2002) 237- 243. ...

An.Zhenghau and et al, Thin Solid films 447-448 (2004) 153-157. ...

C.S.Murthy, M.Posselt, and T.Frei, J.Vac. Sci.Technol. B 14, 278 (1996) ...

G.Foti, Applied Surface Science 184 (2001) 20-26. ...

C.J.Mogab, J. Electrochem. Soc, 120 (1973) 932. ...

P.Durupt and et al, Thin Solid Films, 90 (1982) 353-357. ...

نمایش کامل مراجع