طراحی سلول تمام جمع کننده بر پایه ترانزیستورهای اثر میدانی کربن نانو لوله
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,252
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PUAST01_104
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393
Abstract:
در این مقاله یک سلول تمام جمع کننده جدید که سرعت واحد محاسباتی را تا حدود بسیار زیادی افزایش داده است طراحی کردیم. در این طراحی جدید برای بالا بردن پارامترهای سرعت و توان مصرفی از ترانزیستورهای کربن نانو لوله استفاده کردیم. در اولین طراحی پیشنهادی از 37 ترانزیستور در شبکه پایینی و 5 مقاومت در شبکه بالایی که باعث بهبودی در پارامترهای خروجی مدار می شود بهره برده ایم. همچنین در این مقاله با استفاده ازشبیه ساز HSPICE که مدل CNTFET در ان تعریف شده است نیز در ان تعریف شده است نیز 0/9V برای منبع ولتاژخود استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان داده است که ما در بخش های تآخیر و توان مصرفی و PDP نسبت به طرح های گذشته به پیشرفت قابل ملاحظه ای دست یافتیم.
Keywords:
تمام جمع کننده , کربن نانوتیوپ , ترانزیستورهای اثر میدانی کربن نانو لوله , تمام جمع کننده با توان مصرفی پایین CNTFET
Authors
امیر شامان پور
گروه مهندسی کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران۱
امین هاشمی پور
گروه مهندسی فناوری اطلاعات دانشگاه پیام نور مرکز گچساران
الهام بازپور
گروه فناوری اطلاعات مرکز علمی کاربردی گچساران۱
کورش سلطانی
گروه فناوری اطلاعات مرکز علمی کاربردی گچساران۱
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :