ترانزیستور اثر میدان تونلی مبتنی بر In0.9Ga0.1As / In0.1Al0.4Ga0.5As
Publish Year: 1393
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,056
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NAEC02_039
Index date: 4 February 2015
ترانزیستور اثر میدان تونلی مبتنی بر In0.9Ga0.1As / In0.1Al0.4Ga0.5As abstract
در ترانزیستورهای اثر میدان تونلی از مکانیسم تونل زنی از داخل سد پتانسیل برای حامل ها استفاده می شود و با بکارگیری تونل زنی باند به باند (BTBT) در این ترانزیستور می توان بر محدودیت هایی که با کاهش اندازه در ماسفت اتفاق می افتد غلبه کرد ترانزیستور TFET دارای جریان خاموشی بسیار کم و همچنین شیب زیر آستانه کمتر از 60mv/decade و نسبت جریان روشن به خاموش بالایی است. در این مقاله طراحی جدیدی از ترانزیستور اثر میدان تونلی TFET مبتنی بر ساختار ناهمگون In0.9Ga0.1As / In0.1Al0.4Ga0.5As ارائه شده است که هدف بهبود شیب زیر آستانه کمتر از 60mv/decade و افزایش نسبت جریان روشن به خاموش ION/IOFF است ترانزیستور ارائه شده با نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده و شیب زیر آستانه 10mv/decade و نسبت جریان روشن به خاموش 16^10 × 0/25 بدست آمده است.
ترانزیستور اثر میدان تونلی مبتنی بر In0.9Ga0.1As / In0.1Al0.4Ga0.5As Keywords:
ترانزیستور اثر میدان تونلی مبتنی بر In0.9Ga0.1As / In0.1Al0.4Ga0.5As authors
فاطمه پیروی
دانشجوی کارشناسی ارشد برق- الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی بجنورد
سید ابراهیم حسینی
دانشیار گروه برق دانشگاه فردوسی مشهد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :