Analysis and Modeling of the Effect of Statistical Fluctuations on (6T) nano-CMOS SRAM Cell Stability
Publish place: The first national electronic conference on technological advances in electrical, electronics and computer engineering
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 702
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TDCONF01_113
تاریخ نمایه سازی: 19 تیر 1394
Abstract:
Static RAM cells are among the most important fundamental blocks of digital circuits. These cells go through considerable statistical fluctuations as a result of scale change of the bulk-CMOS technology to nanometer scales. This scale change is aimed to increase data storage density.It also influences static RAM stability significantly[1, 2]. In this research, the statistical sensitivity of static noise margin was analyzed in non-ideal conditions and the statistical stability of SRAM cells was examined to recognize weak cells
Keywords:
Authors
H Tasdighi
Department of Electrical and Computer Engineering, University of Kashan, Kashan, Iran
D Dideban
Institute of Nanoscience and Nanotechnology, University of Kashan, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :