سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی نقاط کوانتومی نوع دومGaSb/GaAs برای بهبود عملکرد سلول های خورشیدی باند میانی

Publish Year: 1393
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 749

This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ETEC04_336

Index date: 10 July 2015

بررسی نقاط کوانتومی نوع دومGaSb/GaAs برای بهبود عملکرد سلول های خورشیدی باند میانی abstract

بازده سلولهای باند میانیIBSCs بهواسطهی حضور زیر باندهای ایجاد شده توسط نقاط کوانتومیQuantum Dot درباند ممنوعه و در نتیجه جذب مولفه های بیشتری از طیف خورشید، از حد بازده شاکلی- کویزرShockley-Queisser برای سلولهای تکپیوندی فراتر رفته است. این عملکرد باعث افزایش مضاعف ولتاژ مدار باز ایجاد شده در سلول خواهد بود که بازده را افزایش می دهد. همچنین باند میانی بوسیله ی نقاط کوانتومی ایجاد می شود که جریان نوری را افزایش می دهد نرخ گسیل حرراتی در نقاط نوع اولType-I از جدا شدن سطوح شبه فرمی بین باند رسانش و باند میانی جلوگیری میکند که باعث کاهش در مقدار ولتاژ مدار باز میگردد و هم چنین عدم تطبیق در نرخ گذار نوری از باند ظرفیت به باند میانی گذارسریع و از باند میانی به باند رسانش گذار کندباعث مختل شدن پاسخ باند میانی شده و بازده را کاهش می دهد. برای غلبه بر چنین مشکلی در نقاط کوانتومی نوع اول، ما از نقاط کوانتومی نوع دومType-II مبتنی برGaSb/GaAsاستفاده می کنیم. چراکه اولا نرخ گسیل گرمایی باربرها در نقطه ی کوانتومی نوع دوم s −1 7 10 اساسا کمتر ازنقاط نوع اول s-1 12 10 است. که به دلیل محدودیت شدید در آنهاست. دوما نرخ گذار بین باندی از باندمیانی به باند رسانش بوسیله ی جدایی فضایی توابع موج الکترون ها وحفره ها در نقاط کوانتومی نوع دوم، این امکان را می دهد تا گذارهای نوری یاد شده در نقاط نوع دوم نسبت به نقاط نوع اول منطبق تر باشند که باعث افزایش در بازده سلول می شود

بررسی نقاط کوانتومی نوع دومGaSb/GaAs برای بهبود عملکرد سلول های خورشیدی باند میانی Keywords:

سلول های خورشیدی نقطه کوانتومی , نقاط کوانتومی نوع دوم , سلول های باند میانی

بررسی نقاط کوانتومی نوع دومGaSb/GaAs برای بهبود عملکرد سلول های خورشیدی باند میانی authors

مسعود سیف ریحانی

دانشگاه تبریز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
A., Pavarelli N., Reyner C., Tatebayashi _ Nunna K., He ...
A. Luque and A. Marti, "Increasi ng the Efficiency of ...
Kechiantz A.M., Kocharyan L.M., Kechiyants H.M., "Band alignment and conversion ...
A. Luque and A. Marti, "Photovolta ics :Towards the intermediate ...
A. S. Lin and J. D. PhiIlips, _ Drift-diffusion modelingfor ...
A. Marti, L. Cuadra, and A. Luque, :Quasi -drift diffusion ...
U. Sikder, R. UI-Ferdous, and A. Haque, S Effects of ...
K. Yoshida, Y. Okada, and N. Sano, Device simulation of ...
A. Luque and A. Marti, _ the partial _1Iing of ...
A. Luque, A. Marti, N. Lopez, E. Antolin, E. Canovas, ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بررسی نقاط کوانتومی نوع دومGaSb/GaAs برای بهبود عملکرد سلول های خورشیدی باند میانی" توسط سیدمهدی ستاری اسفهلان، دانشگاه تبریز؛ مسعود سیف ریحانی، دانشگاه تبریز نوشته شده و در سال 1393 پس از تایید کمیته علمی چهارمین کنفرانس بین­ المللی رویکردهای نوین در نگهداشت انرژی پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله سلول های خورشیدی نقطه کوانتومی، نقاط کوانتومی نوع دوم، سلول های باند میانی هستند. این مقاله در تاریخ 19 تیر 1394 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 749 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که بازده سلولهای باند میانیIBSCs بهواسطهی حضور زیر باندهای ایجاد شده توسط نقاط کوانتومیQuantum Dot درباند ممنوعه و در نتیجه جذب مولفه های بیشتری از طیف خورشید، از حد بازده شاکلی- کویزرShockley-Queisser برای سلولهای تکپیوندی فراتر رفته است. این عملکرد باعث افزایش مضاعف ولتاژ مدار باز ایجاد شده در سلول خواهد بود که بازده را افزایش می دهد. همچنین باند میانی ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی نقاط کوانتومی نوع دومGaSb/GaAs برای بهبود عملکرد سلول های خورشیدی باند میانی با 10 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.