مقایسه نویز فاز، محدوده عملکرد فرکانسی و توان مصرفی اسیلاتور کنترل شونده تا ولتاژ بر پایه سلف های اکتیو و پسیو

در این مقاله، یک اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ بر پایه سلف اکتیو و پسیو ارائه شده است تا مزایا و معایب حضور این سلف ها در طراحی اسیلاتورها نسبت به هم مورد مقایسه قرار گیرد. ساختارهای ارائه شده به کمک نرم افزار ADS در تکنولوژی 0.18 μm CMOS شبیه سازی شده اند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که اسیلاتور بر پایه سلف اکتیو، بدلیل قابلیت تنظیم پذیری اندکتانس معادل سلف، دارایی محدوده عملکرد فرکانسی گسترده از 550 Mz تا 3/88GHz (150%) است. در حالی که اسیلاتور بر پایه سلف پسیو، بدلیل عدم حضور مکانیزم کنترلی فرکانس، فاقد رنج تنظیم فرکانسی می باشد. از طرف دیگر، اسیلاتور بر پایه سلف اکتیو بدلیل پیچیدگی ساختار، نویز فاز نامطلوب تری نسبت به اسیلاتور در آفست 1MHz از فرکانس مرکزی 1/88GHz برای سیلاتورها با سلف اکتیو و پسیو به ترتیب dBc/HZ؛ 89 -، 127/6 - می باشد.

Keywords:

اسیلاتور کنترل شونده با ولتاژ , توان مصرفی , سلف اکتیو , کلپیتس , محدوده عملکرد فرکانسی , نویز فاز