بررسی شرایط بهینه رشد و رشد تک بلورهای ZnSx Se1-x به روش CTV
Publish place: The first crystal growth conference of Iran
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 918
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BLUR01_001
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
با استفاده از مدلی ترمودینامیکی شرایط بهینه جهت رشد تک بلورهای ZnSxSe(1-x) به روش CVT معین گردید. دمای بهینه برای مقادیر مختلف x یه ازای غلظت های مختلف عامل انتقال بر حسب تابعی از دمت بدست آمد. بلورهای ZnSxSe(1-x) برای غلظت عامل انتقال C=2 mg/cm3 و مقادیر x=0.3 و x=0.6 و x=0.9 رشد داده شدند. کیفیت ظاهری و مورفولوژی بلورهای رشد یافته، میزان توافق نتایج تجربی را با مدل ترمودینامیکی ارائه شده، نشان دادند.
Authors
بهنام دیبایی اصل
گروه فیزیک دانشکده علوم پایه ، دانشگاه سمنان
مجید جعفر تفرشی
گروه فیزیک دانشکده علوم پایه ، دانشگاه سمنان
مصطفی فضلی
گروه شیمی دانشکده علوم پایه ، دانشگاه سمنان
مریم عالی دائی
گروه فیزیک دانشکده علوم پایه ، دانشگاه سمنان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :