رشد لایه های نازک DLC به روش TCVD و تعیین پارامترهای اپتیکی و دی الکتریکی آنها با استفاده از طیف سنجی بازتابی FT-IR
Publish place: The first crystal growth conference of Iran
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,095
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BLUR01_013
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
در این مقاله با استفاده از روش نشست بخار شیمیایی حرارتی (TCVD) لایه های نازک کربن الماس گونه (DLC) تهیه شده اند. از لایه های نازک رشد داده شده در وضعیت تابشی نزدیک به عمود، در محدوده 400-4000cm-1 طیف های بازتابی به روش طیف سنجی FT-IR گرفته شده و از روابط پاشندگی کرامرز-کرونیگ برای محاسبه پارامترهای اپتیکی و دی الکتریکی لایه های نازک DLC استفاده شد. محاسبات انجام شده نشان می دهد که میزان وابستگی این پارامترها به عدد موجی در نواحی طیفی 1000-400 cm-1قابل ملاحظه و در سایر نواحی وابستگی کم است. همچنین تغییر زاویه فاز بین پرتوهای فرودی و بازتابی محاسبه شد.
Authors
فاطمه صحرائیان
بخش فیزیک دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس و گروه فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شمال، دربند،تهران
رسول ملک فر
بخش فیزیک دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس
حمید مطهری
بخش فیزیک دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس
جلال روح الله نژاد
بخش فیزیک دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :