تحلیل و بررسی شبیه سازی ترانزیستور HEMT در مدار تقویت کننده نویز کم LNA فرکانس بالا
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,147
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RSTCONF01_215
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
در این مقاله به بررسی میزان نویز در مدارات LNA1 در سیستم های فرمانس بالا و ماکروویو که در ان ترانزیستور 2HEMT استفاده شده است، می پردازیم. میزان نویز ایجاد شده در این مدارات به دو صورت است: نویز داخلی ترانزیستور و نویز خارجی مدار این ترانزیستور دارای قابلیت بهره توان بالا در فرکانس های بالا است و نویز پذیری آن نیز به مراتب کمتر می باشد که امر موجب افزایش راندمان کاری این ترانزیستور در مدارات می باشد. در این مقاله با بررسی مدل سیگنال کوچک وسیگنال بزرگ و پارامترهای ذاتی و غیرذاتی میتوان ترانزیستور و مدارا آنرا تحلیل نمود تا بتوان از طریق نمودار 3S میزان نویز و دیگر پارامترها را می توان بدست آورد
Keywords:
Authors
حامد مرادی
دستیار استادیار ، کارشناس ارشد ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه علوم و تحقیقات سنندج
طیب نامداران
دستیار استادیار ، کارشناس ارشد ، رشته الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه علوم و تحقیقات کرمانشاه
محمدمهدی کارخانه چی
استادیار ، دکترا ، الکترونیک ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ، دانشگاه علوم و تحقیقات کرمانشاه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :