بررسی و شبیه سازی کاربرد مداری ممریستور
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,524
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RSTCONF01_582
تاریخ نمایه سازی: 30 آبان 1394
Abstract:
ممریستور یک عنصر دو پایه است که مشخصه آن به صورت رابطهای بین بار الکتریکی و شار مغناطیسی بیان میشود. تاکنون این عنصر بدلیل کاربردهای بالقوه بسیار جالب، در طراحی مدارها و مزیتهای قابل توجه، مطالعه شده و با استفاده از فیلمهای نازک ساخته شده است. کاربرد ممریستور میسر نمیشود مگر با داشتن مدل مداری مناسب و ابزاری برای شبیه سازی آن. در این مقاله با استفاده از نرم افزار SPICE مدلی دقیق و قابل اطمینان از ممریستور بررسی و سپس یک سلول حافظه غیر فرار با استفاده از ممریستور طراحی شده است. شبیه سازی نشان میدهد که سلول حافظه پیشنهادی به خوبی یک بیت داده را حفظ میکند.
Keywords:
Authors
سپیده سلطان مرادی
دانشجو، کارشناسی ارشد برق الکترونیک و دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات خراسان شمالی
سیدابراهیم حسینی
دانشیار، دکتری الکترونیک_نیمه هادی،گروه برق، دانشکده فنی مهندسی و دانشگاه فردوسی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :