سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

مقایسه عملکرد ترانزیستور Trigate SOI FinFET با ساختار ترانزیستور Trigate JL SOI FinFET

Publish place: The Second National Congress of New Technologies of Iran with the aim of achieving sustainable development
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,404

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/399516

Document National Code:

SENACONF02_026

Index date: 21 November 2015

مقایسه عملکرد ترانزیستور Trigate SOI FinFET با ساختار ترانزیستور Trigate JL SOI FinFET abstract

این مقاله مقایسه ای بین SOI FinFET و Junctionless SOI FinFET به صورت سه گیتی و با تغییر طول کانال در رنج 10 تا 100 نانومتر انجام شده است. در این کار از ابزار شبیه سازی استفاده شده است و متغیرهای نوسانات زیر آستانه، DIBL ، هدایت انتقالی، نسبت جریان روشن به خاموش و مقاومت خروجی مقایسه شده است.

مقایسه عملکرد ترانزیستور Trigate SOI FinFET با ساختار ترانزیستور Trigate JL SOI FinFET Keywords:

مقایسه عملکرد ترانزیستور Trigate SOI FinFET با ساختار ترانزیستور Trigate JL SOI FinFET authors

بتول فخر

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نیشابور،گروه مهندسی برق، نیشابور، ایران

سید ابراهیم حسینی

دانشگاه فردوسی مشهد،گروه مهندسی برق، مشهد، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
Singhal, S., et al. "Comparative study of Double Gate SOI ...
G. C. Tettamanzi, A.P., G. P. Lansbergen, J. Verduijn, S. ...
C. R. Manoj, A.B.S., F. Yuan, C. Y. Chang, and ...
W. Zhang, J.G.F., L. Mathew, and Y. Du, "Physical insights ...
Yu, B., "FinFET scaling to 10 nm gate length, ". ...
Ghai, D., S.P. Mohanty, and G. Thakral. "Comparative analysis of ...
T. Ghani, K.M., P. Packan, S. Thompson, M. Stettler, S. ...
X. Tang, V.K.D., and J. D. Meindl, "Intrinsic MOSFET p ...
W. Kiong, J.P., and J. Coligne, "Corner effect in multiple-gate ...
Lorenz, A.B.a.J., "Corner effect in double and triple gate FinFETs, ...
J. P. Colinge, C.W.L, A. Afzalian, N. D. Akhavan, R. ...
R. Rios, A.C , .M. Armstrong, A. Budrevich, H. Gomez, ...
R. Yu, S.D., I. Ferain, P. Razavi, M. Shayesteh, A. ...
Ortiz-Conde A, R.., Garcia Sanchez FJ, Liou JJ, "An improved ...
Salcedo JA, O.-C.A., Garcia Sanchez FJ, Muci J, Liou JJ, ...
Benson J, D.H.N., Redman-Whie W, Easson CA, Uren MJ, Faynot ...
Doyoung Jang, J.W.L, Chi-Woo Lee, Jean-Pierre, L.M. Colinge, Jung Il ...
Al Sayem, A., Y. Arafat, and M. Rahman. "Effect of ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "مقایسه عملکرد ترانزیستور Trigate SOI FinFET با ساختار ترانزیستور Trigate JL SOI FinFET" توسط بتول فخر، دانشگاه آزاد اسلامی واحد نیشابور،گروه مهندسی برق، نیشابور، ایران؛ سید ابراهیم حسینی، دانشگاه فردوسی مشهد،گروه مهندسی برق، مشهد، ایران نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی دومین کنگره سراسری فناوریهای نوین ایران با هدف دستیابی به توسعه پایدار پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله FinFET ، JunctionLess ، SOI ، SCEs ، DIBL هستند. این مقاله در تاریخ 30 آبان 1394 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1404 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که این مقاله مقایسه ای بین SOI FinFET و Junctionless SOI FinFET به صورت سه گیتی و با تغییر طول کانال در رنج 10 تا 100 نانومتر انجام شده است. در این کار از ابزار شبیه سازی استفاده شده است و متغیرهای نوسانات زیر آستانه، DIBL ، هدایت انتقالی، نسبت جریان روشن به خاموش و مقاومت خروجی مقایسه شده است. ... . برای دانلود فایل کامل مقاله مقایسه عملکرد ترانزیستور Trigate SOI FinFET با ساختار ترانزیستور Trigate JL SOI FinFET با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.