مروری بر چند نمونه از ادوات مبتنی بر مواد نیمه هادی آلی
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,607
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ELECA01_029
Index date: 22 November 2015
مروری بر چند نمونه از ادوات مبتنی بر مواد نیمه هادی آلی abstract
امروزه با پیشرفت در تکنولوژی CMOS تمایل بی سابقه به کوچک کردن ترانزیستور ها، موجب شده است مهندسین و محققان که بتوانند ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون را به کمتر از دو نانومتر برسانند. اما این تکنولوژی، مشکلاتی مانند افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک را به همراه داشته است]1[.امروزه مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی _ غیرآلی که شامل اکسید های فلزی هستند ،به علت جریان نشتی پایین و ثابت دی الکتریک بالا توانسته اند جایگزین مناسبی برای گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی باشند]4-2.[ اخیرا مطالعات و تحقیقات کثیری درباره لایه های نانوساختار سیلیکونی صورت گرفته است در این مقاله تاکید ما بر مواد پایه کربنی است و ترانزیستورهای لایه نازک آلی را مورد بررسی قرار می دهیم در ساختار ترانزیستور مورد نظر ،از اتصالات فلزی شامل اتصالات گیت، درین و سورس با استفاده از لایه نشانی فلزاتی مانند آلومینیوم، طلا و یا نقره ایجاد می گردند که این لایه ها به صورت متوسط ضخامتی در حدود 30 nm دارند.
مروری بر چند نمونه از ادوات مبتنی بر مواد نیمه هادی آلی Keywords:
مروری بر چند نمونه از ادوات مبتنی بر مواد نیمه هادی آلی authors
مهسا صداقت
دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل، اردبیل، ایران
آیت زنده طالشمکائیل
دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اردبیل، اردبیل، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :