بهبود فشرده ساز 4:2 با استفاده از ترانزیستورهای فین فت

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 890

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEECS01_094

تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394

Abstract:

دراین مقاله اقدام به شبیه سازی فشرده ساز2:4 بااستفاده ازطرح پیشنهادی مان می کنیم ابتدا نتایج اخرین مقاله راجع به فین فت ها را بررسی کرده و یک طرح جدید برای کاهش تعداد ترانزیستورها ارایه میدهیم و بامقاله مرجع مقایسه میکنیم ازساختارجمع کننده پیشنهادی مان درمدارفشرده سازاستفاده خواهیم نمود و برای مقایسه و ارزیابی بهتر فشرده ساز 2:4 رابااستفاده ازترانزیستورهای ماسفت نیز پیاده سازی نموده و شبیه سازی را بانرم افزار HSPICE بانجام خواهیم رساند

Authors

نرگس فیضیان

دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه لرستان

عباس رمضانی

ستاد برق الکترونیک دانشگاه لرستان

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • FinFET Technology for Dummies [http : /cologn es eandr ea.wordpress ...
  • King T.-J. FinFETs for nanoscale CMOS digital integrated circuits. C ...
  • Huang X., Lee W.-C., Kuo C.. Hisamoto D., Chang L, ...
  • C. Vinoth, V. S. K. Bhaaskaran, B. Brindha et al., ...
  • C.-H. Chang, J. Gu, and M. Zhang, "Ultra low-voltage low ...
  • S. Veeramachan eni, M. Kirthi Krishna, L. Avinash, S. R. ...
  • Farid Moshgelani, Dhamin Al-Khalili, and Come Rozon, "Ultra-Low Leakage Arithmetic ...
  • نمایش کامل مراجع