تاثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق
Publish place: International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 871
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_142
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
Abstract:
در این مقاله به بررسی تأثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق میپردازیم .تأثیر میزان مقاومت بدنه بر جریان حفر ههای ناشی از پدیده یونیزاسیون برخوردی و عملکرد ترانزیستور دو قطبی پارازیتی به عنوان عامل اصلی شکست نشان داده م یشود .در این راستا با تغییر فاصله بین نواحی P+ مربوط به اتصال بدنه، مقدار مقاومت بدنه را تغییر میدهیم و با انجام شبیه سازی، تأثیر تغییرات مقاومت بدنه را بر جریان حفر ههای تولیدی ناشی از پدیده یونیزاسیون برخوردی و مولفه های جریانی ترانزیستور دوقطبی پارازیتی بررسی م یکنیم .نشان م یدهیم که با کاهش مقاومت بدنه میتوان فیدبک مثبتی که توسط این ترانزیستور دوقطبی پارازیتی بوجود میآید را تضعیف کرد و مکانیسم شکست را تعدیل کرد و ولتاژ شکست را بهبود بخشید .نتایج شبیه سازی نشان دهنده بهبود 10 درصدی ولتاژ شکست ترانزیستور با مقاومت بدنه KΩ نسبت به همان ترانزیستور با مقاومت بدنه . KΩ 20 میباشد
Keywords:
Authors
هادی همتیان
دانشجوی کارشناسی ارشد شهرکرد دانشگاه شهرکرد دانشکده فنی و مهندسی
آرش دقیقی
دانشیار گروه برق الکترونیک شهرکرد دانشگاه شهرکرد دانشکده فنی و مهندسی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :