سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

شبیه سازی مدل فیزیکی سلف حافظه دار و یک نمونه کاربرد آن در نوسان ساز آشوب

Publish place: International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 989

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/404301

Document National Code:

COMCONF01_196

Index date: 29 November 2015

شبیه سازی مدل فیزیکی سلف حافظه دار و یک نمونه کاربرد آن در نوسان ساز آشوب abstract

قطعات ممریستیو معروف به عناصر حافظه دار شامل مقاومت حافظه دار، خازن حافظه دار و سلف حافظ هدار در مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و به راحتی می توان رفتار آن ها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد .در این مقاله برای اولین بار مدل فیزیکی سلف حافظه دار از روی مدل فیزیکی مقاومت حافظ هدار در نر مافزار ADS(Advanced Design System) طراحی و شبیه سازی شده و در نهایت کاربرد آن در یک نمونه نوسا ن ساز آشوب مبتنی بر سلف حافظ ه دار بررسی و شبی هسازی شده است

شبیه سازی مدل فیزیکی سلف حافظه دار و یک نمونه کاربرد آن در نوسان ساز آشوب Keywords:

شبیه سازی مدل فیزیکی سلف حافظه دار و یک نمونه کاربرد آن در نوسان ساز آشوب authors

فربد ستوده

اراک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اراک ایران

محسن نجفی

اراک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اراک ایران

علی خاکی صدیق

تهران دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی ایران

مسعود دوستی

دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
B. B. Cheng, L. Zhong, and X. Jian-Ping, "Transient chaos ...
L. O. Chua, _ _ Memri stor-The Missing Circuit Element, ...
D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, and ...
C. Yakopcic, E. Shin, T. M. Taha, G. S ubramanyam, ...
C. Yakopcic, T. M. Taha, G. Subramanyam, E. Shin, P. ...
S. H. Jo, T. Chang, I. Ebong, B. B. Bhadviya, ...
M.J. JANG, "Sliding Mode Control of Chaos in the Cubic ...
B. B. Cheng, L. Zhong, and X. Jian-Ping, "Transient chaos ...
Y. Ho, G. M. Huang, and P. Li, "Dynamical Properties ...
S. H. Jo, and W. Lu, :CMOS Compatible Nanoscale Nonvolatile ...
Y. N. Joglekar, and S. J. Wolf, "The elusive memristor: ...
V. Yiuri, ،Memristive circuits simulate memcapacitors and Meminductor , _ ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "شبیه سازی مدل فیزیکی سلف حافظه دار و یک نمونه کاربرد آن در نوسان ساز آشوب" توسط فربد ستوده، اراک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اراک ایران؛ محسن نجفی، اراک دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی اراک ایران؛ علی خاکی صدیق، تهران دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی ایران؛ مسعود دوستی، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران ایران نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ممریستور ، نانو ، سلف حافظه دار ، ADS هستند. این مقاله در تاریخ 8 آذر 1394 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 989 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که قطعات ممریستیو معروف به عناصر حافظه دار شامل مقاومت حافظه دار، خازن حافظه دار و سلف حافظ هدار در مقیاس نانو قابل پیاده سازی بوده و به راحتی می توان رفتار آن ها را با مدارات الکترونیکی شبیه سازی کرد .در این مقاله برای اولین بار مدل فیزیکی سلف حافظه دار از روی مدل فیزیکی مقاومت حافظ هدار در نر ... . برای دانلود فایل کامل مقاله شبیه سازی مدل فیزیکی سلف حافظه دار و یک نمونه کاربرد آن در نوسان ساز آشوب با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.