Study of a nano-Scale Length Tri-Gate FinFET Based on 3-D Simulations
Publish place: International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 633
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_513
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
Abstract:
In this paper, channel length changings are studied for Trigate SOI FinFET based on a 3-D simulation. Changing channel length is between 10 to 100 nm. output characteristics, threshold voltage, subthreshold slope and drain induced barrier lowering (DIBL), gm, ro are investigated.
Keywords:
Authors
B Fakhr
Department of Electrical Engineering, Neyshabur Branch ,Islamic Azad University Neyshabur ,Iran
S.E Hosseini
Electrical Engineering Department, Ferdowsi University of Mashhad, Mashhad, Iran,
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :