بررسی حساسیت بهره آشکارسازهای نوری بهمنی InGaAs/Si نسبت به دما و ولتاژ
Publish place: 13th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1384
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,340
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEE13_013
Index date: 18 November 2007
بررسی حساسیت بهره آشکارسازهای نوری بهمنی InGaAs/Si نسبت به دما و ولتاژ abstract
در این مقاله حساسیت بهره نسبت به ولتاژ و دما در آشکارسازهای نوری بهمنی 1InGaAs/Si (APDs) تحلیل، شبیه سازی و روابط حساسیت نیز استخراج شده است. برای ساختن چنینAPD هایی در بازه بزرگی از طول موج، از مرئی تا 1/5μm ، ترکیبی از InGaAs و سیلیکون InGa As به عنوان لایه جاذب وSi به عنوان لایه تکثیر کننده نویز پایین) مطلوب است. آشکارسازهایInGaAs/Si به دلیل داشتن مشخصات جالب (بهره بالا و نویز پایین ) در سیتمهای ارتباطات نوری با نرخ بیت بالا مورد استفاده قرار می گیرند،اماAPD های InGaAs/InP دارای نویز زیادی هستند. این مقاله برتریSi نسبت به InP در حساسیت بهره به ولتاژ اعمالی و دما را نشان می دهد.
بررسی حساسیت بهره آشکارسازهای نوری بهمنی InGaAs/Si نسبت به دما و ولتاژ Keywords:
بررسی حساسیت بهره آشکارسازهای نوری بهمنی InGaAs/Si نسبت به دما و ولتاژ authors
شهرام محمدنژاد
دانشگاه علم و صنعت ایران _ دانشکده برق آزمایشگاه الکترونیک نوری
مریم پورمحی آبادی
دانشگاه علم و صنعت ایران _ دانشکده برق آزمایشگاه الکترونیک نوری
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :