مدل سازی مدارهای منطقی چندسطحی برگشت پذیردودردو بااستفاده ازترانزیستورهای نانولوله کربنی

دراین مقاله اطلاعات پایه ای را برای ورود به موضوع اصلی مطرحمی کنیم ابتدا ترانزیستور نانولوله کربنی و دلایل استفاده ازآن را مورد بررسی قرارمیدهیم سپس اصول مربوط به برگشت پذیری و همچنین منطق چندمقداری که قصد طراحی دروازه های برگشت پذیرچندسطحی را بااستفاده ازاین ترانزیستورها داریم را مورد بررسی قرارخواهیم داد به بررسی گیت های منطقی سه سطحی برگشت پذیرNOT ، Cycle ، و Self-Shif که ازعناصرپایه ی برگشت پذیرمی باشند می پردازیم و درپایان به طراحی درواوزه های برگشت پذیردوورودی و دوخروجی درمبنای 3 خواهیم پرداخت تمامی این گیت ها بااستفاده ازتکنولوزی نانولوله های کربنی طراحی و شبیه سازی میشوند دراین مقاله مدلی تا حدامکان جامع و درسطح مدار برای ترانزیستورهای نانولوله ای کربنی ارایه میگردد که بانرم افزار اچ اس پایس شبیه سازی میگردد

Keywords:

منطق برگشت پذیر , ترانزیستورهای نانولوله های کربنی , منطق چندارزشی