بررسی و شبیه سازی خواص نوری سیلیسن
Publish place: The first national conference on electrical engineering of Islamic Azad University, Langarud branch
Publish Year: 1393
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 686
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEES01_222
Index date: 6 March 2016
بررسی و شبیه سازی خواص نوری سیلیسن abstract
در این مقاله ویژگی های نوری سیلیسن دو بعدی بر اساس تئوری تابع چگالی مورد بررسی قرار داده شد. نتایج در مورد محاسبات مشخصه پاسخ نوری نشان می دهند که ان ها به شدت به جهت مسیر قطبیت نور بستگی دارند. بنابراین طیف های جذب نوری برای نور قطبی شده به صورت موازی و عمود بر سطح سیلیسن متفاوت می باشند.طیف های جذب نوری سیلیسن دارای دو پیک عمده می باشند : 1)پیک تند در 1.74ev را بواسطه انتقال از حالات π به 2π) پیک گسترده در حوزه ev10-4 (بواسطه تحریک حالات δ تا باندهای هدایت) تاثیر میدان الکتریکی ایستاتیک متقاطع خارجی را روی ویژگی های نوری سیلیسن مورد بررسی گرفت .ابتدا با میدان الکتریکی مشاهده شد که شکاف باند را می توان در سیلیسن در سطح فرمی با شکستن تقارن معکوس افزایش داد. تغییرات قابل ملاحظه ای را در جذب نوری بواسطه باز شدن شکاف باند مشاهده شد
بررسی و شبیه سازی خواص نوری سیلیسن Keywords:
بررسی و شبیه سازی خواص نوری سیلیسن authors
فرحناز ذاکریان
گروه برق،واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی ،ایران
حمزه آزمون
گروه برق،واحد مهریز، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :