مطالعه عددی ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی به منظور استفاده در کاربردهای آنالوگ

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 373

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

NEEREC08_007

تاریخ نمایه سازی: 28 اسفند 1394

Abstract:

یکی از مواردی که استفاده از نانولوله کربنی به نتایج چشمگیری منجر گردیده ترانزیستورهای نانولوله کربنی است. کارهای مختلفی به منظور معرفی ساختارهای ترانزیستوری مبتنی بر نانولوله کربنی ارائه گردیده، اما نکته مهم آن است که تقریبا تمام این پژوهش ها بر روی بهینه سازی این افزاره در کاربردهای دیجیتال متمرکز گردیده است و کمتر به ارائه ساختار بهینه برای کاربردهای آنالوگ پرداخته شده است. لذا بررسی مشخصات یک ترانزیستور مطلوب در کاربردهای آنالوگ جهت استفاده در این نوع کاربردها موضوع این مقاله است. این تحقیق بر روی ترانزیستور ماسفتی متعارف و دو ساختار بهینه یافته آن متمرکز گردیده است. ابتدا ویژگی های مطلوب ترانزیستور برای کاربردهای آنالوگ معرفی و سپس اثر پارامترهای هندسی و مشخصات مواد بکاررفته بر روی این ویژگی ها در این سه ساختار بررسی، تحلیل و با یکدیگر مقایسه خواهد شد.

Authors

نسیم اوشیانی

گروه مهندسی برق،واحد نور،دانشگاه آزاد اسلامی،نور،ایران

رضا یوسفی

گروه مهندسی برق،واحد نور،دانشگاه آزاد اسلامی،نور،ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • ]2[Alam K and Lake R. Performance of 2nm gate length ...
  • ] 1[F. A.Usmani and M.Hasan "Carbon nanotube field effect transistors ...
  • _ Guo J, Datta S, Lundstrom MS. A numerical study ...
  • ]1[Ilaria Imperiale _ _ NUM ERICAL M OD ELLING OF ...
  • Transactions On Nano Technology, Vol. 11, No. 3, May 2012 ...
  • ]13[Muhammad A.Wahab, *, * Sung Hun _ Ahmad E. Islam, ...
  • ]11[Yousefi R, Saghafi K, Moravvej -Farshi MK. Numerical study of ...
  • subthreshold swing of ballistic carbon nanotube FETs", Physica E 43 ...
  • ]17[Yousefi R & S. S. Ghoreyshi , "Numerical Study of ...
  • ]11[Z. Arefinia, A.A. Orouji, Impact of single halo implantation on ...
  • ]11[Z. Arefinia, Ali A. Orouji, Novel attributes in the performance ...
  • Nanostruct. 4 (2009) 1767-1771. ...
  • Yoon, Y., Yijian, O. and Jing, G. (2006). Effect of ...
  • J. Guo, S. Datta, M. P. Anantram, and M. Lundstrom, ...
  • نمایش کامل مراجع