بررسی اثر قطر نانولوله در رفتار ترانزیستورهای نانولوله کربنی با نواحی سورس و درین کم غلظت
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 4، Issue: 3
Publish Year: 1392
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 594
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-4-3_001
Index date: 5 April 2016
بررسی اثر قطر نانولوله در رفتار ترانزیستورهای نانولوله کربنی با نواحی سورس و درین کم غلظت abstract
در این مقاله، ترانزیستور نانولوله کربنی با نواحی سورس و درین کم غلظت را با استفاده از روش توابع گرین غیر تعادلی در یک بعد شبیه سازی کرده ایم . ترانزیستور نانولوله کربنی که در نزدیکی اتصالات سورس و درین آن نواحی کم غلظت در نظر گرفته ایم، اصطلاحاً ترانزیستور LDDS-CNTFET نامیده می شود. در بخشی از این مقاله تاثیر تغییر قطر نانولوله را بر روی رفتار این نوع ترانزیستور مورد بررسی قرار داده ایم. با اعمال این تغییرات مشاهده می شود که با افزایش قطر نانولوله جریان حالت روشن افزایش یافته ولی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش کاهش یافته و زمان تأخیر افزاره نیز کاهش می یابد. همچنین با تغییر یاد شده حساسیت جریان نشتی و تأخیر و حاصلضرب توان در تأخیر افزاره همگی نسبت به میزان غلظت سورس و درین کاهش می یابد.
بررسی اثر قطر نانولوله در رفتار ترانزیستورهای نانولوله کربنی با نواحی سورس و درین کم غلظت Keywords:
توابع گرین غیر تعادلی( NEGF ) , سورس و درین کم غلظت , نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش , زمان تأخیر , حاصل ضرب توان در تأخیر(PDP)
بررسی اثر قطر نانولوله در رفتار ترانزیستورهای نانولوله کربنی با نواحی سورس و درین کم غلظت authors
سجاد محمدیان سیاهکلرودی
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
علی شاه حسینی
استادیار دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین
رحیم فائز
دانشیار دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین